СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
RUS
Ваша корзина | товаров: 0
Поиск продукта / услуги

Вы не выбрали значение

IGBT модули

IGBT модули на средние частоты

Специ-
фикация
Паспорт Наименование
прибора
UCES ICnom Tjmax Uisol Тип корпуса Габариты
(ширина/длина)
[В][A][°C][В][мм]
MIAA-xx12FA-200N 12002001754000MIAA61,4/106,4
MIAA-xx12FA-300N 12003001754000MIAA61,4/106,4
MIAA-xx12FA-400N 12004001754000MIAA61,4/106,4
MIFA-xx12FA-100N 12001001754000MIFA34/94
MIFA-xx12FA-150N 12001501754000MIFA34/94
MIFA-xx12FA-200N 12002001754000MIFA34/94
MIAA-xx17FA-150N 17001501754000MIAA61,4/106,4
MIAA-xx17FA-200N 17002001754000MIAA61,4/106,4
MIAA-xx17FA-300N 17003001754000MIAA61,4/106,4
MIFA-xx17FA-075N 1700751754000MIFA34/94
MIFA-xx17FA-100N 17001001754000MIFA34/94
MIFA-xx17FA-150N 17001501754000MIFA34/94

Пример маркировки:

MIAA -  HB 12  FA   200
1    2  4  

1.Исполнение:
    MIAA – корпус 62 мм
    MIFA – корпус 34 мм
2. Схема включения:
    HB – полумост
    HC – верхний чоппер
    LC – нижний чоппер   

3. Класс модуля по максимально допустимому напряжению коллектор-эмиттер:
    12 – 1200 (В); 17 – 1700 (В)
4. Модификация чипов IGBT, включая технологию изготовления кристаллов
5. Номинальный ток модуля
6. Климатическое исполнение

Паспорт на IGBT модули

Технологическая линия производства IGBT модулей.

Особенности применения IGBT модулей производства ЗАО "Протон-Электротекс"