Основные подходы к монтажу и эксплуатации силовых полупроводниковых приборов
ЗАО «Протон-Электротекс» производит силовые полупроводниковые приборы – диоды и тиристоры в корпусах таблеточного, штыревого и модульного исполнения. Размеры и конструкция СПП предъявляют определенные требования к эксплуатации и работе с ними. Следует обращать внимание на особенности монтажа, управления и эксплуатации СПП.

Общий подход к расчету снабберных RC цепей
При разработке мощных преобразовательных установок, особенно работающих на высоких частотах, необходимо учитывать режимы восстановления СПП и возникающие при этом выбросы напряжения. Основным способом минимизации выбросов обратного напряжения является применение снабберных RC цепей, включенных параллельно СПП.

Последовательное и параллельное соединение силовых полупроводниковых приборов
Максимальные токи и блокирующие напряжения выпускаемых СПП ограничены, и часто однотипные СПП приходится соединять в группы для увеличения мощности разрабатываемого оборудования

Особенности конструкции и применения модульных приборов

Подход к испытанию силовых полупроводниковых приборов на надёжность

Моделирование температурной зависимости ВАХ СПП
Получены аналитические выражения, описывающие температурную зависимость прямой и обратной ветви вольтамперной характеристики силовых полупроводниковых приборов. Путем сравнения теоретических расчетов с экспериментальными данными проверена адекватность полученных выражений.

Моделирование зависимости ударного тока от длительности и числа импульсов прямого тока
Получены аналитические выражения, описывающие зависимость ударного тока от длительности и числа импульсов прямого тока, протекающего через силовой полупроводниковый прибор. Путем сравнения теоретических расчетов с результатами компьютерного моделирования проверена адекватность полученных выражений.

Коммутационные параметры СПП
Рассмотрены коммутационные параметры, характеризующие переключение силовых полупроводниковых приборов из проводящего состояния в непроводящее (их выключение) под действием импульса обратного напряжения. Предложена математическая модель, описывающая зависимость этих параметров от силы прямого тока и скорости его спада перед выключением. Разработаны алгоритмы восстановления этой зависимости по экспериментальным данным.

Моделирование нестационарных тепловых процессов и расчет допустимых токов перегрузки
Изложены физические основы численного моделирования нестационарных тепловых процессов в структурах силовых полупроводниковых приборов. Разработан алгоритм численного расчета допустимых токов перегрузки. Представлены результаты моделирования тепловых процессов при работе тиристора Т243-500 и диода ДЛ343-630-34.

Моделирование частотных характеристик СПП
Изложены физические основы расчета потерь и средней мощности потерь в силовых полупроводниковых диодах и тиристорах. Разработана математическая модель, позволяющая строить частотные зависимости амплитуды синусоидальных импульсов тока в стационарных условиях работы приборов. На примере приборов ДЛ343-630-34 и МТ3-500 проведен сравнительный анализ частотных характеристик диода и тиристора.