Статьи
-
4 Декабря 2025
Проведен сравнительный анализ пассивирующих покрытий для высоковольтных диодов. Исследовано влияние типа кремнийорганического материала (отечественные и зарубежные аналоги) на долговременную надежность диодов Д253-1600-(22-24) через оценку деградации защитного слоя.
-
4 Декабря 2025
В статье проводится комплексный анализ современных пассивирующих покрытий для фаски мощных полупроводниковых приборов в контексте задач импортозамещения. Рассмотрены основные классы материалов: неорганические диэлектрики (SiO₂, SiOxNy, a-C:H:SiOx, AlN), полиимиды и кремнийорганические компаунды. Для каждого класса систематизированы ключевые преимущества, недостатки и функциональные характеристики, такие как электрическая прочность, адгезия, термостабильность, барьерные свойства и технологичность. Особое внимание уделено проблемам технологической зависимости от иностранных материалов и оборудования. На основе сравнительного анализа выявлены наиболее перспективные направления для разработки отечественных аналогов, способных обеспечить требуемую надежность и долговечность полупроводниковых приборов.
-
Применение кремнийорганических полимеров в конструкции силовых полупроводниковых приборов
4 Декабря 2025
В данной статье описаны и рассмотрены основные формы силиконовых материалов и их целевые химические, физико-механические и диэлектрические характеристики, исходя из конструктивного назначения в составе силовых модулей прижимных и паяных конструкций. Опираясь на особенности отраслевого применения и практический опыт применения компании АО «Протон-электротекс», установлены ключевые критерии оценки и методы испытаний. Особое внимание уделено технологическим аспектам применения в составе полупроводниковых приборов прижимной конструкции
-
4 Декабря 2025
Данная работа посвящена системному анализу дефектов в кремниевых пластинах, которые являются критическим фактором, ограничивающим надежность и выход годной продукции мощных силовых приборов. В ней рассматриваются методы диагностики, классификация дефектов и современные технологические подходы к их минимизации, такие как геттерирование и отжиг. Целью исследования является установление причинно-следственных связей "технология дефект-отказ" и формирование рекомендаций по контролю качества для повышения эффективности производства.
-
4 Декабря 2025
Методами приборно-технологического компьютерного моделирования изучена зависимость статических и динамических характеристик силовых низкочастотных диодов от отклонений параметров диффузионных процессов при изготовлении. Рассмотрены зависимости блокирующих параметров, импульсного прямого напряжения, а также обратного восстановления блокирующей способности силовых низкочастотных диодов при разных температурах. Результаты демонстрируют, как отклонение температуры при загонке и разгонке примесей оказывает влияние на кривые вольт-амперных характеристики и процесс обратного восстановления силового низкочастотного диода.
-
4 Декабря 2025
Разработана компактная математическая модель процесса переключения силового p-i-nдиода из проводящего состояния в непроводящее в электрической цепи с индуктивной нагрузкой. Проанализирована зависимость коммутационных параметров диода от силы прямого тока и скорости его спада перед переключением. Получены простые, удобные для инженерных расчетов аналитические выражения для коммутационных потерь диода.
-
4 Декабря 2025
Методами компьютерного моделирования технологических процессов создан цифровой двойник высоковольтного низкочастотного p-i-n-диода D053-7100, выпускаемого АО «Протон-Электротекс» (г. Орёл, Россия). Путём имитационного моделирования этого диода изучена зависимость его статических и динамических характеристик от положения максимума распределения радиационных дефектов, образованных при облучении полупроводниковой структуры диода протонами.
-
Архитектура современного драйвера силовых IGBT ключей
24 Января 2025
В статье рассмотрены основные параметры драйверов IGBT. Приведены критерии для выбора драйвера. Рассмотрены схемы управления затвором. Определены основные и расширенные защитные функции и возможные способы их реализации. Рассмотрены единичные драйверы и драйверы для управления параллельного включенных IGBT. Приведены особенности построения параллельного драйвера.
-
Современные технические решения в конструкции IGBT модулей высокой мощности
24 Января 2025
В статье рассмотрены современные подходы к конструированию силовых полупроводниковых модулей. На примере приборов с основанием 140мм и модулей MIXM и MIXV АО «Протон-Электротекс» показано, как конструкция модулей развивалась по пути снижения индуктивности силовых цепей и оптимизации компоновки внешних соединений.
В статье рассмотрены дальнейшие возможные пути развития конструкции IGBT модулей, включающие в себя кардинальную модернизацию структуры теплоотвода, а также использование кристаллов с возможностью контроля температуры и мгновенных значений тока в реальном времени
-
Влияние профиля легирования на динамические характеристики силовых низкочастотных диодов
24 Декабря 2024
Методами приборно-технологического компьютерного моделирования изучена зависимость динамических характеристик силовых низкочастотных диодов от технологических режимов и параметров диффузионных процессов при изготовлении.
Рассмотрены параметры обратного восстановления блокирующей способности силовых низкочастотных диодов при разных температурах в зависимости от профиля легирования. Результаты демонстрируют, как различные параметры и режимы диффузионных процессов оказывают влияние на процесс обратного восстановления силового низкочастотного диода.
